SI4590DY-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI4590DY-T1-GE3

摘要

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

详情

MOSFET - 阵列 100V 3.4A，2.8A 2.4W，3.4W 表面贴装型 8-SOIC

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

36 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

-

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.4A，2.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

57 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

11.5nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

360pF @ 50V

功率 - 最大值

2.4W，3.4W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SI4590

其它名称

SI4590DY-T1-GE3TR

SI4590DY-T1-GE3DKR

SI4590DY-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3

价格

数量: 2500

单价: $2.92909
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $3.23211
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.04014
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.111
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.67
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.55
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.23211
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.04014
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.111
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.67
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.55
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SP8M51HZGTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,149
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似

"O 32,0-JO22H-E-3,3-1-T1-LF"KSA0A931 LFTR XC9302A452MR-G GSC13DRES RS73G2BTTD6490C

SI4590DY-T1-GE3

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