元器件型号详细信息

原厂型号
ALD110900APAL
摘要
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详情
MOSFET - 阵列 10.6V 500mW 通孔 8-PDIP
原厂/品牌
Advanced Linear Devices Inc.
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Advanced Linear Devices Inc.
系列
EPAD®, Zero Threshold™
包装
管件
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)配对
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
500 欧姆 @ 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装
8-PDIP
基本产品编号
ALD110900

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Advanced Linear Devices Inc. ALD110900APAL

相关文档

规格书
1(ALD110800,900(A))
EDA 模型
1(ALD110900APAL by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $35.37627
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $36.7369
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $42.17932
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $48.438
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $58.503
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $64.79
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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