元器件型号详细信息

原厂型号
SIHFL110TR-BE3
摘要
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
540 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),3.1W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
SIHFL110

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHFL110TR-BE3

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规格书
1(IRFL110, SiHFL110)
HTML 规格书
1(IRFL110, SiHFL110)

价格

数量: 25000
单价: $1.46374
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $1.54379
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $1.65814
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $1.7725
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $1.94399
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.51588
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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