IAUT165N08S5N029ATMA2

元器件型号详细信息

原厂型号

摘要

MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 165A（Tc） 167W（Tc） PG-HSOF-8-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

165A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.9 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 108µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

90 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

6370 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

167W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-HSOF-8-1

封装/外壳

8-PowerSFN

基本产品编号

IAUT165

其它名称

IAUT165N08S5N029ATMA2-ND

IAUT165N08S5N029ATMA2TR

IAUT165N08S5N029ATMA2DKR

INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029

IAUT165N08S5N029CT

2156-IAUT165N08S5N029ATMA2

IAUT165N08S5N029CT-ND

IAUT165N08S5N029TR

IAUT165N08S5N029DKR

IAUT165N08S5N029ATMA2CT

IAUT165N08S5N029TR-ND

SP001585162

IAUT165N08S5N029DKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

价格

数量: 2000

单价: $15.85663
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000

数量: 1000

单价: $16.69121
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $19.79098
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $23.2485
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $28.374
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $31.59
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $16.69121
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $19.79098
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $23.2485
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $28.374
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $31.59
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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HX-SCE-38.1-50-9 MCR10EZPF1964 RN73H1ETTP1622C25 ESQT-110-03-F-5-376 LMV722MX/NOPB

IAUT165N08S5N029ATMA2

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