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GermanyFCD9N60NTM
元器件型号详细信息
原厂型号
FCD9N60NTM
摘要
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 92.6W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SupreMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
385 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
92.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FCD9N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FCD9N60NTM-OS
FCD9N60NTMCT
FCD9N60NTMDKR
ONSONSFCD9N60NTM
FCD9N60NTMTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCD9N60NTM
相关文档
规格书
1(FCD9N60NTM Datasheet)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Mar/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN 封装
()
价格
数量: 1000
单价: $9.82783
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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