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GermanySI6467BDQ-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI6467BDQ-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 6.8A（Ta） 8-TSSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 4.5 V
FET 功能
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
基本产品编号
SI6467
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI6467BDQ-T1-GE3CT
SI6467BDQT1GE3
SI6467BDQ-T1-GE3DKR
SI6467BDQ-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI6467BDQ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014)
HTML 规格书
1(SI6467BDQ)
价格
-
替代型号
-