STB19NM65N

元器件型号详细信息

原厂型号

STB19NM65N

摘要

MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 15.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ II

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

15.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

270 毫欧 @ 7.75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

55 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1900 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

150W（Tc）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

STB19N

其它名称

-497-7001-6

1805-STB19NM65NCT

497-7001-6

1805-STB19NM65NTR

497-7001-2

1805-STB19NM65NDKR

-497-7001-2

497-7001-1

-497-7001-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB19NM65N

价格

数量: 500

单价: $29.03188
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $34.1037
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $41.624
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $46.35
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $29.03188
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $34.1037
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $41.624
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $46.35
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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单价. : ¥27.74000
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型号 : SPB17N80C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥41.34000
替代类型. : 类似

型号 : IPB60R280P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥20.67000
替代类型. : 类似

型号 : R6020FNJTL

制造商 : Rohm Semiconductor
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单价. : ¥30.76000
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SIT3373AC-4E2-30NC625.000000 RN73R1JTTD1172D100 82014 RN73H2ETTD2843F10 Q27S

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