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GermanyNSBA123JDXV6T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSBA123JDXV6T1G
摘要
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
500mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
NSBA123
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NSBA123JDXV6T1GOS-ND
2156-NSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOS
2156-NSBA123JDXV6T1G-ONTR-ND
ONSONSNSBA123JDXV6T1G
NSBA123JDXV6T1GOSTR
NSBA123JDXV6T1GOSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/onsemi NSBA123JDXV6T1G
相关文档
规格书
1(NSBA114EDXV6T1,5 Series)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Apr/2007)
HTML 规格书
1(NSBA114EDXV6T1,5 Series)
价格
-
替代型号
型号 : PEMB10,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,000
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 直接
库存 : 4,000
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 直接
型号 : DDA123JH-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.75124
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.75124
替代类型. : 类似
型号 : EMB10T2R
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 8,000
单价. : ¥0.86203
替代类型. : 类似
库存 : 8,000
单价. : ¥0.86203
替代类型. : 类似
型号 : RN2905FE,LF(CT
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥2.07000
替代类型. : 类似
型号 : DDA143TH-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,850
单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似
库存 : 2,850
单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似