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GermanyFGA25N120ANTDTU
元器件型号详细信息
原厂型号
FGA25N120ANTDTU
摘要
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
详情
IGBT NPT 和沟道 1200 V 50 A 312 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.65V @ 15V，50A
功率 - 最大值
312 W
开关能量
4.1mJ（开），960µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
200 nC
25°C 时 Td（开/关）值
50ns/190ns
测试条件
600V，25A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
350 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
FGA25N120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FGA25N120ANTDTU-OS
ONSONSFGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU-NDR
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
FGA25N120ANTDTU_NL
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA25N120ANTDTU
相关文档
规格书
1(FGA25N120ANTDTU)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Parts obs 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 17/Mar/2023)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FGA25N120ANTDTU)
价格
-
替代型号
型号 : IXYR50N120C3D1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥101.37813
替代类型. : 类似
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