元器件型号详细信息

原厂型号
A2T18H450W19SR6
摘要
IC TRANS RF LDMOS
详情
RF Mosfet 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.5dB 89W NI-1230S-4S4S
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
LDMOS
频率
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益
16.5dB
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
功率 - 输出
89W
电压 - 额定
30 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
NI-1230S-4S4S
供应商器件封装
NI-1230S-4S4S
基本产品编号
A2T18

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/RF FET,MOSFET/NXP USA Inc. A2T18H450W19SR6

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HTML 规格书
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价格

-

替代型号

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