最后更新
20250803
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元器件资讯
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IXTP01N100D
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTP01N100D
摘要
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
详情
通孔 N 通道 1000 V 400mA(Tc) 1.1W(Ta),25W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
63 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
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技术参数
制造商
IXYS
系列
Depletion
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 欧姆 @ 50mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
100 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IXTP01
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
607074
Q1614635
IXTP01N100D-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXTP01N100D
相关文档
规格书
1(IXT(P,U,Y)01N100D)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
价格
数量: 2000
单价: $26.4462
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $27.83809
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.0081
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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