English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF7807ZTR
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7807ZTR
摘要
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.8 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
770 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7807ZTR
相关文档
规格书
1(IRF7807Z)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRF7807Z)
价格
-
替代型号
型号 : IRF7807ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 12,411
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 参数等效
库存 : 12,411
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 参数等效
型号 : FDS8878
制造商 : onsemi
库存 : 520
单价. : ¥5.49000
替代类型. : 类似
库存 : 520
单价. : ¥5.49000
替代类型. : 类似
型号 : DMN3016LSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
型号 : DMN4800LSSL-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,478
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 类似
库存 : 1,478
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 类似
型号 : SI4890DY-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥10.70510
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.70510
替代类型. : 类似
型号 : FDS6690A
制造商 : onsemi
库存 : 181
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
库存 : 181
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 类似
型号 : CWDM3011N TR13 PBFREE
制造商 : Central Semiconductor Corp
库存 : 4,383
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
库存 : 4,383
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似