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GermanySI4599DY-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI4599DY-T1-GE3
摘要
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 40V 6.8A，5.8A 3W，3.1W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A，5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
640pF @ 20V
功率 - 最大值
3W，3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4599
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI4599DY-T1-GE3CT
SI4599DY-T1-GE3DKR
SI4599DY-T1-GE3TR
SI4599DYT1GE3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI4599DY-T1-GE3
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价格
数量: 25000
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