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GermanyRN49A1FE(TE85L,F)
元器件型号详细信息
原厂型号
RN49A1FE(TE85L,F)
摘要
PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 200MHz，250MHz 100mW 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
电阻器 - 基极 (R1)
5.6A（Ta），11.7A（Tc）
电阻器 - 发射极 (R2)
47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
200MHz，250MHz
功率 - 最大值
100mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
RN49A1
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
264-RN49A1FE(TE85LF)TR
264-RN49A1FE(TE85LF)CT
264-RN49A1FE(TE85LF)DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列，预偏置/Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE(TE85L,F)
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