元器件型号详细信息

原厂型号
BSS126H6327XTSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
500 欧姆 @ 16mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BSS126 H6327-ND
SP000705714
BSS126 H6327

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS126H6327XTSA1

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价格

-

替代型号

型号 : BSS126H6906XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,701
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 参数等效
型号 : BSS126H6327XTSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥4.21000
替代类型. : 参数等效