元器件型号详细信息

原厂型号
SPP15P10PLGHKSA1
摘要
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详情
通孔 P 通道 100 V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 11.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1.54mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1490 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
128W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP15P

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SPP15P10PL G-ND
SP000212234
SPP15P10PL G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SPP15P10PLGHKSA1

相关文档

规格书
1(SPP,SPD15P10PL)
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特色产品
1(Data Processing Systems)

价格

-

替代型号

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