元器件型号详细信息

原厂型号
IRFR1018ETRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.4 毫欧 @ 47A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
69 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2290 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IRFR1018

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

INFINFIRFR1018ETRPBF
2156-IRFR1018ETRPBF
IRFR1018ETRPBFDKR
IRFR1018ETRPBFCT
IRFR1018ETRPBFTR
SP001566962

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFR1018ETRPBF

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PCN 设计/规格
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF(R,U)1018EPbF)
仿真模型
1(IRFR1018EPBF Spice Model)

价格

数量: 10000
单价: $5.10921
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $5.30879
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 2000
单价: $5.5882
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $5.98731
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.5839
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.2
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最小包装数量: 1

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