IPD122N10N3GBTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD122N10N3GBTMA1

摘要

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

12.2 毫欧 @ 46A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2500 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

94W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD122N

其它名称

SP000485966

IPD122N10N3GBTMA1DKR

IPD122N10N3GBTMA1CT

2156-IPD122N10N3GBTMA1-ITTR-ND

IPD122N10N3 GTR-ND

IPD122N10N3 GDKR

INFINFIPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3 GCT-ND

IPD122N10N3GXT

2156-IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1TR

IPD122N10N3 G

IPD122N10N3G

IPD122N10N3 G-ND

IPD122N10N3 GDKR-ND

IPD122N10N3 GCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD122N10N3GBTMA1

价格

-

替代型号

型号 : IRLR3110ZTRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 35,701
单价. : ¥15.66000
替代类型. : 类似

型号 : IPD122N10N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 20,811
单价. : ¥12.96000
替代类型. : 参数等效

型号 : SUD40N08-16-E3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 7,311
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似

型号 : STD70N10F4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 114
单价. : ¥17.57000
替代类型. : 类似

型号 : AOD2816

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥3.08520
替代类型. : 类似

型号 : STD80N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,519
单价. : ¥17.17000
替代类型. : 类似

3596-B-632-SS MSS30-046-C15 TA45-ABFRTJ17C0-AZM14 GCM32EC71E226KE36K RNCF0603BKE909K

IPD122N10N3GBTMA1

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