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GermanyFCMT360N65S3
元器件型号详细信息
原厂型号
FCMT360N65S3
摘要
MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 10A（Tc） 83W（Tc） 4-PQFN（8x8）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
730 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-PQFN（8x8）
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
FCMT360
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FCMT360N65S3OSTR
FCMT360N65S3OSDKR
FCMT360N65S3-ND
FCMT360N65S3OSCT
2832-FCMT360N65S3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCMT360N65S3
相关文档
规格书
1(FCMT360N65S3)
环保信息
()
HTML 规格书
1(FCMT360N65S3)
价格
数量: 3000
单价: $15.55577
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
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