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GermanySPB02N60S5ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPB02N60S5ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
240 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SPB02N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPB02N60S5
SPB02N60S5INTR-ND
SPB02N60S5ATMA1CT
SPB02N60S5INCT
SP000012388
SPB02N60S5INTR
SPB02N60S5-ND
SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5ATMA1TR
SPB02N60S5XT
SPB02N60S5INCT-ND
SPB02N60S5ATMA1DKR
SPB02N60S5INDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB02N60S5ATMA1
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价格
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包装: 剪切带（CT）
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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替代型号
型号 : STD3N62K3
制造商 : STMicroelectronics
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