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GermanySTGB40H65FB
元器件型号详细信息
原厂型号
STGB40H65FB
摘要
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
HB
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
283 W
开关能量
498µJ（开），363µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
210 nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/142ns
测试条件
400V，40A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
STGB40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-16977-2
497-16977-1
STGB40H65FB-ND
497-16977-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB40H65FB
相关文档
规格书
1(STGB40H65FB Datasheet)
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STGB40H65FB Datasheet)
EDA 模型
1(STGB40H65FB by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $16.36328
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $19.1952
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $22.5483
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $27.523
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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