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GermanySSM6N15AFE,LM
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM6N15AFE,LM
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
详情
MOSFET - 阵列 30V 100mA 150mW 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5pF @ 3V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
SSM6N15
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
264-SSM6N15AFE,LMTR
SSM6N15AFE,LMCT
SSM6N15FE(TE85LF)DKR
SSM6N15AFE,LM(T
264-SSM6N15AFE,LMDKR
SSM6N15FE(TE85LF)CT-ND
SSM6N15AFE,LMTR
SSM6N15AFELMTR-ND
SSM6N15AFELMDKRINACTIVE
SSM6N15FE (TE85L,F)
264-SSM6N15AFE,LMCT
SSM6N15AFE,LMDKR
SSM6N15FETE85LF
SSM6N15AFELMCT
SSM6N15FE(TE85LF)TR-ND
SSM6N15AFE,LM(A
SSM6N15FE(TE85LF)DKR-ND
SSM6N15AFELMCTINACTIVE
SSM6N15AFELM
SSM6N15AFELMTRINACTIVE
SSM6N15AFE,LM(B
SSM6N15AFELMDKR
SSM6N15AFELMTR
SSM6N15FE(TE85LF)TR
SSM6N15FE(TE85LF)CT
SSM6N15FE(TE85L,F)
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM
相关文档
规格书
()
PCN 封装
1(Marking Chg 08/Feb/2016)
HTML 规格书
1(Mosfets Prod Guide)
EDA 模型
1(SSM6N15AFE by Ultra Librarian)
价格
数量: 4000
单价: $0.55093
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
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替代型号
型号 : NX3020NAKV,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
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