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GermanyHGTG11N120CND
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTG11N120CND
摘要
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
详情
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
43 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，11A
功率 - 最大值
298 W
开关能量
950µJ（开），1.3mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100 nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/180ns
测试条件
960V，11A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
70 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
HGTG11
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSFSCHGTG11N120CND
2156-HGTG11N120CND-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTG11N120CND
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规格书
1(HGTG11N120CND)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(HGTG11N120CND)
价格
数量: 2000
单价: $19.09502
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $20.10005
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $23.83286
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $27.9968
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $34.167
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $38.08
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : NGTB20N120IHRWG
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型号 : IHW20N135R5XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 146
单价. : ¥38.16000
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型号 : STGW20IH125DF
制造商 : STMicroelectronics
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库存 : 0
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型号 : RJH1CF4RDPQ-80#T2
制造商 : Renesas Electronics America Inc
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库存 : 0
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型号 : IXYR50N120C3D1
制造商 : IXYS
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制造商 : IXYS
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型号 : APT33GF120BRG
制造商 : Microchip Technology
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库存 : 0
单价. : ¥73.22000
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