元器件型号详细信息

原厂型号
BSC265N10LSFGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 6.5A(Ta),40A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 43µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1600 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC265

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC265N10LSFGATMA1

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1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSC265N10LSF G)
EDA 模型
1(BSC265N10LSFGATMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 10000
单价: $3.85289
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $4.0034
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $4.41478
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.73011
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.99152
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $7.2527
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $9.301
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.41
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $4.41478
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.73011
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.99152
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数量: 100
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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