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GermanyBSF077N06NT3GXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSF077N06NT3GXUMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 13A（Ta），56A（Tc） 2.2W（Ta），38W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3700 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），38W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSF077N06NT3 GDKR
BSF077N06NT3 GTR-ND
BSF077N06NT3 GDKR-ND
SP000605968
BSF077N06NT3 GCT-ND
BSF077N06NT3 G-ND
BSF077N06NT3GXUMA1CT
BSF077N06NT3 G
BSF077N06NT3G
BSF077N06NT3GXUMA1DKR
BSF077N06NT3GXUMA1TR
BSF077N06NT3 GCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSF077N06NT3GXUMA1
相关文档
规格书
1(BSF077N06NT3 G)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
价格
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替代型号
-