元器件型号详细信息

原厂型号
TSM4NB65CP ROG
摘要
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 4A(Tc) 70W(Tc) TO-252,(D-Pak)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.37 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
549 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
TSM4NB65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM4NB65CP ROGTR-ND
TSM4NB65CP ROGCT-ND
TSM4NB65CP ROGDKR-ND
TSM4NB65CP ROGCT
TSM4NB65CP ROGTR
TSM4NB65CPROGCT
TSM4NB65CPROGTR
TSM4NB65CPROGDKR
TSM4NB65CP ROGDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CP ROG

相关文档

规格书
1(TSM4NB65)
环保信息
()
EDA 模型
1(TSM4NB65CP ROG by SnapEDA)

价格

数量: 5000
单价: $7.81316
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 10
单价: $15.168
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $16.85
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFIB5N65APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 968
单价. : ¥34.74000
替代类型. : 类似