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GermanyPMT200EN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMT200EN,115
摘要
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SC-73
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
475 pF @ 80 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），8.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-73
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
PMT2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934066917115
2156-PMT200EN,115-ND
2156-PMT200EN115
2156-PMT200EN115-NXTR-ND
NEXNXPPMT200EN,115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PMT200EN,115
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 25/Dec/2013)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
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