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GermanyNVMFD016N06CT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMFD016N06CT1G
摘要
MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
详情
MOSFET - 阵列 60V 9A（Ta），32A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
66 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta），32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.3 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
489pF @ 30V
功率 - 最大值
3.1W（Ta），36W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号
NVMFD016
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NVMFD016N06CT1GTR
488-NVMFD016N06CT1GCT
488-NVMFD016N06CT1GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NVMFD016N06CT1G
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