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元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19534KCS
摘要
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1670 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
118W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD19534
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-CSD19534KCSINACTIVE
296-38676-5
-CSD19534KCS-NDR
296-38676-5-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19534KCS
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规格书
1(CSD19534KCS)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Site Chg 25/Jan/2016)
制造商产品页面
1(CSD19534KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19534KCS)
EDA 模型
1(CSD19534KCS by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $5.48543
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.94822
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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