元器件型号详细信息

原厂型号
SI4542DY
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 6A 1W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
830pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
SI4542

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI4542DY-ND
SI4542DYDKR
SI4542DYCT
SI4542DYTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi SI4542DY

相关文档

规格书
1(SI4542DY)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 17/Aug/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Korea Fab Site Add 3/Jan/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(SI4542DY)

价格

-

替代型号

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