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GermanyPMWD20XN,118
元器件型号详细信息
原厂型号
PMWD20XN,118
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 10.4A 4.2W 表面贴装型 8-TSSOP
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
740pF @ 16V
功率 - 最大值
4.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
PMWD20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-2362-2
568-2362-6
PMWD20XN118
934058035118
PMWD20XN /T3
954-PMWD20XN118
PMWD20XN,518
568-2362-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/NXP USA Inc. PMWD20XN,118
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规格书
1(PMWD20XN)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMWD20XN)
价格
-
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