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元器件型号详细信息
原厂型号
CYATB108LD-ZS45XI
摘要
IC NVSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
详情
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb 并联 45 ns 44-TSOP II
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
135
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
allaboutcomponents.com 可编程
Not Verified
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
8Mb
存储器组织
1M x 8
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
45ns
访问时间
45 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
44-TSOP II
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
2156-CYATB108LD-ZS45XI
CYPCYPCYATB108LD-ZS45XI
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CYATB108LD-ZS45XI
相关文档
规格书
1(CYATB108LD-ZS45XI)
产品培训模块
1(NVRAM (Nonvolatile RAM) Overview)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 6/Feb/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Qualification Advance Notice 20/May/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CYATB108LD-ZS45XI)
价格
-
替代型号
-