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GermanyFF1200R17KP4B2NOSA2
元器件型号详细信息
原厂型号
FF1200R17KP4B2NOSA2
摘要
IGBT MODULE 1700V 1200A
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1700 V 1.7 kA 1.4 kW 底座安装 AG-PRIME2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
IHM-B
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
1.7 kA
功率 - 最大值
1.4 kW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
98000 pF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-PRIME2
基本产品编号
FF1200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-FF1200R17KP4B2NOSA2
FF1200R17KP4B2
SP000941366
FF1200R17KP4B2NOSA2-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF1200R17KP4B2NOSA2
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规格书
1(FF1200R17KP4_B2)
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HTML 规格书
1(FF1200R17KP4_B2)
价格
数量: 1
单价: $12632.32
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
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