English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD60R380P6BTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R380P6BTMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
877 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD60R380P6BTMA1CT
IPD60R380P6BTMA1DKR
IPD60R380P6BTMA1TR
SP001017052
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R380P6BTMA1
相关文档
规格书
1(IPx60R380P6)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Halogen Free Upgrade 15/Jun/2015)
HTML 规格书
1(IPx60R380P6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V P6 Spice Model)
价格
数量: 12500
单价: $5.30387
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $5.51105
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $5.80111
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $13.67
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.67
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD60R380P6ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥15.82000
替代类型. : 直接
型号 : TK380P65Y,RQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 2,287
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似
库存 : 2,287
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似