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GermanyDMG5802LFX-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG5802LFX-7
摘要
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
详情
MOSFET - 阵列 24V 6.5A 980mW 表面贴装型 W-DFN5020-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
21 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1066.4pF @ 15V
功率 - 最大值
980mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
W-DFN5020-6
基本产品编号
DMG5802
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMG5802LFX-7DITR-ND
DMG5802LFX-7DICT
DMG5802LFX-7DICT-ND
DMG5802LFX7
DMG5802LFX-7DITR
DMG5802LFX-7DIDKR
DMG5802LFX-7DIDKR-ND
31-DMG5802LFX-7CT
31-DMG5802LFX-7TR
31-DMG5802LFX-7DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMG5802LFX-7
相关文档
规格书
1(DMG5802LFX)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Bond Wire 11/Nov/2011)
PCN 组装/来源
1(Parts Removed 18/Sep/2018)
HTML 规格书
1(DMG5802LFX)
价格
数量: 30000
单价: $1.77633
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $1.82307
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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数量: 6000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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单价: $2.03343
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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数量: 1
单价: $4.77
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $4.77
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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