SI4459BDY-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI4459BDY-T1-GE3

摘要

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO

详情

表面贴装型 P 通道 30 V 20.5A（Ta），27.8A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

32 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20.5A（Ta），27.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.9 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

84 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

+20V，-16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3490 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.1W（Ta），5.6W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SO

封装/外壳

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

基本产品编号

SI4459

其它名称

SI4459BDY-GE3

SI4459BDY-T1-GE3TR

SI4459BDY-T1-GE3DKR

SI4459BDY-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI4459BDY-T1-GE3

价格

数量: 12500

单价: $3.63264
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $3.77454
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $3.9732
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $4.257
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.3922
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.5274
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.371
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.38
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.257
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.3922
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $6.5274
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.371
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $9.38
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

345-061-500-112 1803317-4 CX10S-BACA0G-P-A-DK00000 896-020-522-101 RNS1E101MDN1

SI4459BDY-T1-GE3

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