元器件型号详细信息

原厂型号
SK8603190L
摘要
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12A(Ta),19A(Tc) 2.7W(Ta),19W(Tc) HSO8-F4-B
原厂/品牌
Panasonic Electronic Components
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Panasonic Electronic Components
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Ta),19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1.01mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1092 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta),19W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
HSO8-F4-B
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

P16271CT
P16271DKR
P16271TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Panasonic Electronic Components SK8603190L

相关文档

特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devs - End of Life 15/MAY/2020)

价格

-

替代型号

-