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GermanySIE810DF-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIE810DF-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK®（L）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
10-PolarPAK®（L）
封装/外壳
10-PolarPAK®（L）
基本产品编号
SIE810
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIE810DF-T1-GE3CT
SIE810DF-T1-GE3DKR
SIE810DF-T1-GE3-ND
SIE810DF-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SIE810DF)
PCN 组装/来源
1(Wafer Site 12/Sep/2018)
HTML 规格书
1(SIE810DF)
价格
数量: 3000
单价: $13.76653
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $14.49108
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.18228
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.184
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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