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元器件型号详细信息
原厂型号
PHB191NQ06LT,118
摘要
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7665 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
PHB191
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1727-3055-6
934058543118
568-2188-6
568-2188-1
568-2188-6-ND
568-2188-2
2156-PHB191NQ06LT,118-NEX
1727-3055-1
1727-3055-2
NEXNEXPHB191NQ06LT,118
PHB191NQ06LT /T3
568-2188-2-ND
568-2188-1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PHB191NQ06LT,118
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1(PHB191NQ06LT)
EDA 模型
1(PHB191NQ06LT,118 by Ultra Librarian)
价格
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