元器件型号详细信息

原厂型号
SI5902BDC-T1-E3
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详情
MOSFET - 阵列 30V 4A(Tc) 3.12W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220pF @ 15V
功率 - 最大值
3.12W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
基本产品编号
SI5902

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI5902BDC-T1-E3CT
SI5902BDC-T1-E3TR
SI5902BDC-T1-E3DKR
SI5902BDC-T1-E3-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-E3

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规格书
1(SI5902BDC)
环保信息
()
HTML 规格书
1(SI5902BDC)

价格

数量: 3000
单价: $4.44082
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
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