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GermanyBSB014N04LX3GXUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSB014N04LX3GXUMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16900 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSB014N04LX3 GCT-ND
BSB014N04LX3GXUMA1TR
BSB014N04LX3 GDKR
BSB014N04LX3 G
BSB014N04LX3 GCT
BSB014N04LX3GXUMA1CT
BSB014N04LX3 GTR-ND
BSB014N04LX3GXUMA1DKR
SP000597850
BSB014N04LX3 GDKR-ND
BSB014N04LX3 G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSB014N04LX3GXUMA1
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规格书
1(BSB014N04LX3 G)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 14/Dec/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSB014N04LX3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 40V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : NTMFS5C430NT1G
制造商 : onsemi
库存 : 3,246
单价. : ¥30.85000
替代类型. : 类似
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