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元器件型号详细信息
原厂型号
BSD223P
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
详情
MOSFET - 阵列 20V 390mA 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-PO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
390mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
56pF @ 15V
功率 - 最大值
250mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
PG-SOT363-PO
基本产品编号
BSD223
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSD223PXTINTR-ND
BSD223PINCT
BSD223PINDKR
BSD223PXTINCT
BSD223PXTINCT-ND
BSD223PINTR
BSD223PXT
BSD223PINTR-NDR
BSD223PINCT-NDR
BSD223PXTINTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSD223P
相关文档
规格书
1(BSD223P)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Mar/2008)
HTML 规格书
1(BSD223P)
价格
-
替代型号
型号 : DMP2004DWK-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.05000
替代类型. : 类似
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