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GermanyCSD19535KTTT
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19535KTTT
摘要
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7930 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
基本产品编号
CSD19535
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-41135-6
296-41135-2
296-41135-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19535KTTT
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规格书
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特色产品
1(Power Management)
制造商产品页面
1(CSD19535KTTT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19535KTT)
EDA 模型
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价格
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替代型号
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