元器件型号详细信息

原厂型号
IPW50R350CPFKSA1
摘要
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详情
通孔 N 通道 550 V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
240

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
350 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 370µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1020 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
89W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW50R

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

INFINFIPW50R350CPFKSA1
IPW50R350CP-ND
SP000301164
2156-IPW50R350CPFKSA1-IT
IPW50R350CP

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPW50R350CPFKSA1

相关文档

规格书
1(IPW50R350CP)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(Power Factor Correction)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
HTML 规格书
1(IPW50R350CP)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)

价格

-

替代型号

型号 : IRFPC50APBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,594
单价. : ¥33.55000
替代类型. : 直接
型号 : STW20NK50Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,729
单价. : ¥37.28000
替代类型. : 类似
型号 : IXFH20N50P3
制造商 : IXYS
库存 : 243
单价. : ¥50.08000
替代类型. : 类似
型号 : SIHG14N50D-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥16.35022
替代类型. : 类似
型号 : IXFH24N50
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STW14NK50Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 234
单价. : ¥35.53000
替代类型. : 类似