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GermanyBSC084P03NS3EGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC084P03NS3EGATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-5
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.9A（Ta），78.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4240 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC084
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC084P03NS3E GDKR-ND
BSC084P03NS3EGATMA1TR
BSC084P03NS3EGATMA1DKR
BSC084P03NS3E GTR-ND
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GCT-ND
BSC084P03NS3E GDKR
BSC084P03NS3E GCT
2156-BSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3EG
SP000473012
INFINFBSC084P03NS3EGATMA1
BSC084P03NS3EGATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1
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规格书
1(BSC084P03NS3E G)
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1(Mult Dev EOL 23/Sep/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Device Assembly Site Add 6/Sep/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSC084P03NS3E G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : BSC084P03NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
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