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GermanyAPT35GP120B2D2G
元器件型号详细信息
原厂型号
APT35GP120B2D2G
摘要
IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
详情
IGBT PT 1200 V 96 A 540 W 通孔 T-MAX™ [B2]
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 7®
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
96 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
140 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.9V @ 15V，35A
功率 - 最大值
540 W
开关能量
1mJ（开），1.185mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
150 nC
25°C 时 Td（开/关）值
14ns/99ns
测试条件
800V，35A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
85 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
基本产品编号
APT35GP120
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT35GP120B2D2G
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环保信息
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价格
-
替代型号
-