元器件型号详细信息

原厂型号
BSC004NE2LS5ATMA1
摘要
TRENCH <= 40V
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 40A(Ta),479A(Tc) 2.5W(Ta),188W(Tc) PG-TDSON-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Ta),479A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.45 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
238 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11000 pF @ 12.5 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),188W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-BSC004NE2LS5ATMA1TR
SP004950304
448-BSC004NE2LS5ATMA1CT
448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC004NE2LS5ATMA1

相关文档

规格书
1(BSC004NE2LS5)
环保信息
1(RoHS Certificate)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA 模型
1(BSC004NE2LS5ATMA1 by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
单价: $9.25823
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $9.61431
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.32651
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.46304
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.1694
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.872
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.99
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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数量: 100
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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