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GermanyFDMS86200DC
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS86200DC
摘要
MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 9.3A（Ta），28A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
57 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Dual Cool™, PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.3A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2955 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS86200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMS86200DCTR
FDMS86200DC-ND
FDMS86200DCCT
2156-FDMS86200DC-488
FDMS86200DCDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMS86200DC
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规格书
1(FDMS86200DC)
环保信息
()
特色产品
()
HTML 规格书
1(FDMS86200DC)
价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
型号 : BSC190N15NS3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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