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GermanyIRFHM8228TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFHM8228TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 19A（Ta） 2.8W（Ta），34W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1667 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFHM8228TRPBFDKR
SP001556578
IRFHM8228TRPBFTR
2156-IRFHM8228TRPBF
IRFHM8228TRPBFCT
IFEINFIRFHM8228TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFHM8228TRPBF
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规格书
1(IRFHM8228(TR)PBF)
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1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRFHM8228(TR)PBF)
仿真模型
1(IRFHM8228 Spice Model)
价格
-
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