元器件型号详细信息

原厂型号
DMN2400UFB4-7R
摘要
MOSFET N-CH SOT23
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 750mA(Ta) 470mW(Ta) X2-DFN1006-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
470mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN
基本产品编号
DMN2400

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7R

相关文档

规格书
1(DMN2400UFB4)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
()

价格

-

替代型号

型号 : DMN2450UFB4-7R
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 1,615
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 类似
型号 : DMN2400UFB4-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 121,974
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 参数等效